IXYS N-Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar
- RS-varenummer:
- 194-136
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-647
- Producentens varenummer:
- IXFP7N80P
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 226,34
(ekskl. moms)
Kr. 282,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 45,268 | Kr. 226,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 194-136
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-647
- Producentens varenummer:
- IXFP7N80P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.44Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.66mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.44Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.66mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS