IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.735,96

(ekskl. moms)

Kr. 3.419,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 380 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 273,596Kr. 2.735,96

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4494
Producentens varenummer:
IXFN60N80P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

53A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

250nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Bredde

25.42 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links