IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.735,96

(ekskl. moms)

Kr. 3.419,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 900 enhed(er) afsendes fra 03. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 273,596Kr. 2.735,96

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4494
Producentens varenummer:
IXFN60N80P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

53A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

HiperFET, Polar

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

250nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.