IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN82N60P

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 337,84

(ekskl. moms)

Kr. 422,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 99 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 116 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 337,84
2 - 4Kr. 327,77
5 +Kr. 320,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:
194-130
Producentens varenummer:
IXFN82N60P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

72A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

240nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Længde

38.2mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links