IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 115 A 200 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN140N20P

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 237,34

(ekskl. moms)

Kr. 296,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 237,34
5 +Kr. 200,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
193-616
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-362
Producentens varenummer:
IXFN140N20P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

115A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

18mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

680W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

240nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

25.42 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

30253362

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links