IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 378,26

(ekskl. moms)

Kr. 472,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 900 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2027
  • Plus 600 enhed(er) afsendes fra 27. januar 2027
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 23. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 378,26
2 - 4Kr. 324,93
5 - 9Kr. 316,40
10 - 19Kr. 308,25
20 +Kr. 300,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:
194-350
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-376
Producentens varenummer:
IXFN60N80P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

53A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

HiperFET, Polar

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

250nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.