IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN60N80P

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 325,38

(ekskl. moms)

Kr. 406,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 51 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 387 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 325,38
2 - 4Kr. 279,53
5 - 9Kr. 272,12
10 - 19Kr. 265,17
20 +Kr. 258,51

*Vejledende pris

RS-varenummer:
194-350
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-376
Producentens varenummer:
IXFN60N80P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

53A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

250nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Bredde

25.42 mm

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

30253376

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links