IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN64N50P
- RS-varenummer:
- 194-568
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-377
- Producentens varenummer:
- IXFN64N50P
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 247,23
(ekskl. moms)
Kr. 309,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 8 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 37 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 07. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 247,23 |
| 5 + | Kr. 213,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 194-568
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-377
- Producentens varenummer:
- IXFN64N50P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 61A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 85mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 25.42 mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 30253377 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 61A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 85mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 25.42 mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 30253377 | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 61 A 500 V SOT-227 Polar IXFN64N50P
- IXYS N-Kanal 66 A 500 V SOT-227 Polar IXFN80N50P
- IXYS N-Kanal 115 A 200 V SOT-227 Polar IXFN140N20P
- IXYS N-Kanal 115 A 300 V SOT-227 Polar IXFN140N30P
- IXYS N-Kanal 200 A 100 V SOT-227, Polar HiPerFET IXFN200N10P
- IXYS N-Kanal 53 A 800 V SOT-227 Polar IXFN60N80P
- IXYS N-Kanal 40 A 600 V SOT-227 Polar IXFN48N60P
- IXYS N-Kanal 150 A 150 V SOT-227 Polar IXFN180N15P
