IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227
- RS-varenummer:
- 920-0789
- Producentens varenummer:
- IXFN64N50P
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 1.845,91
(ekskl. moms)
Kr. 2.307,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 07. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 184,591 | Kr. 1.845,91 |
| 20 - 30 | Kr. 175,361 | Kr. 1.753,61 |
| 40 - 90 | Kr. 169,826 | Kr. 1.698,26 |
| 100 - 190 | Kr. 160,596 | Kr. 1.605,96 |
| 200 + | Kr. 156,534 | Kr. 1.565,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-0789
- Producentens varenummer:
- IXFN64N50P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 61A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 85mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.6mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Bredde | 25.42 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 61A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 85mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.6mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Bredde 25.42 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 61 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej IXFN64N50P
- IXYS Type N-Kanal 63 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej
- IXYS Type N-Kanal 82 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej
- IXYS Type N-Kanal 66 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej
- IXYS Type N-Kanal 66 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej IXFN80N50P
- IXYS Type N-Kanal 82 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej IXFN100N50Q3
- IXYS Type N-Kanal 63 A 500 V Forbedring SOT-227 Nej IXFN80N50Q3
- IXYS Type N-Kanal 62 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear Nej
