IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 1.822,58

(ekskl. moms)

Kr. 2.278,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 - 10Kr. 182,258Kr. 1.822,58
20 - 40Kr. 173,147Kr. 1.731,47
50 +Kr. 164,029Kr. 1.640,29

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4467
Producentens varenummer:
IXFN102N30P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

86A

Drain source spænding maks. Vds

300V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

570W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

224nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

25.42 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links