IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN80N50P

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 264,95

(ekskl. moms)

Kr. 331,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 264,95
5 +Kr. 217,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
194-029
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-378
Producentens varenummer:
IXFN80N50P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

195nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bredde

25.07 mm

Længde

38.2mm

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

30253378

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links