IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.009,35

(ekskl. moms)

Kr. 2.511,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 200,935Kr. 2.009,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
920-0745
Producentens varenummer:
IXFN80N50P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

195nC

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.2mm

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links