IXYS N-Kanal, MOSFET, 115 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 246,99

(ekskl. moms)

Kr. 308,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 246,99
2 - 4Kr. 242,05
5 +Kr. 234,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
193-739
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-363
Producentens varenummer:
IXFN140N30P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

115A

Drain source spænding maks. Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

185nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07mm

Længde

38.2mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links