IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 115 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 246,99

(ekskl. moms)

Kr. 308,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
  • Plus 40 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 246,99
2 - 4Kr. 242,05
5 +Kr. 234,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
193-739
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-363
Producentens varenummer:
IXFN140N30P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

115A

Drain source spænding maks. Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

185nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Længde

38.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.