IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 115 A 200 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.036,95

(ekskl. moms)

Kr. 2.546,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 203,695Kr. 2.036,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
920-0735
Producentens varenummer:
IXFN140N20P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

115A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

18mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

240nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

680W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

9.6mm

Bredde

25.42 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links