IXYS N-Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Polar HiPerFET
- RS-varenummer:
- 168-4576
- Producentens varenummer:
- IXFN200N10P
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 2.064,63
(ekskl. moms)
Kr. 2.580,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
- Plus 540 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 206,463 | Kr. 2.064,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4576
- Producentens varenummer:
- IXFN200N10P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Serie | Polar HiPerFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 235nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 680W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 25.07mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Serie Polar HiPerFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 235nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 680W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 25.07mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 200 A 100 V Forbedring SOT-227, Polar HiPerFET
- IXYS N-Kanal 61 A 500 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS N-Kanal 53 A 800 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS N-Kanal 72 A 600 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS N-Kanal 66 A 500 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS N-Kanal 115 A 300 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS N-Kanal 40 A 600 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS N-Kanal 115 A 200 V Forbedring SOT-227 Polar