IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 3.300,77

(ekskl. moms)

Kr. 4.125,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 330,077Kr. 3.300,77

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-1694
Producentens varenummer:
IXFN24N100
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

390mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

568W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

267nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bredde

25.42 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links