IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET Nej IXFN110N85X

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 5.516,95

(ekskl. moms)

Kr. 6.896,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 551,695Kr. 5.516,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-4249
Producentens varenummer:
IXFN110N85X
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.17kW

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

425nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bredde

25.07 mm

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

850 V Ultra-Junction X-Class Power MOSFET'erne med hurtige husdioder repræsenterer en ny serie af effekthalvlederprodukter fra IXYS Corporation. Disse robuste enheder udviser branchens laveste modstande i aktiv tilstand, hvilket muliggør en meget høj effekttæthed i anvendelser med højspændingsstrømkonvertering. De nye 850 V enheder er udviklet ved hjælp af ladningskompenseringsprincippet og eksklusiv procesteknologi, og de udviser den laveste modstand i aktiveret tilstand (f.eks. 33 milliohm i SOT-227-pakken og 41 milliohm i PLUS264) sammen med lav gate-opladning og uovertrufne dv/dt-egenskaber.

Ultralav modstand i aktiveret tilstand RDS(ON) og gate-opladning Qg

Fast husdiode

dv/dt-robusthed

Avalanche nominel

Lav pakkeselvinduktion

Pakker iht. international standard

Relaterede links