IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET Nej IXFN24N100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 380,13

(ekskl. moms)

Kr. 475,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 88 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 380,13
5 - 19Kr. 334,21
20 - 49Kr. 312,07
50 - 99Kr. 304,14
100 +Kr. 296,51

*Vejledende pris

RS-varenummer:
194-091
Producentens varenummer:
IXFN24N100
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

390mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

267nC

Effektafsættelse maks. Pd

568W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.42 mm

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links