IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.665,29

(ekskl. moms)

Kr. 3.331,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 266,529Kr. 2.665,29

*Vejledende pris

RS-varenummer:
177-5342
Producentens varenummer:
IXFN210N30P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

192A

Drain source spænding maks. Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

14.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

1.5kW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

268nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Recently viewed