IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.665,29

(ekskl. moms)

Kr. 3.331,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 266,529Kr. 2.665,29

*Vejledende pris

RS-varenummer:
177-5342
Producentens varenummer:
IXFN210N30P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

192A

Drain source spænding maks. Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

14.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

268nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.5kW

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.