IXYS N-Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 354,48

(ekskl. moms)

Kr. 443,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 354,48
2 - 4Kr. 343,86
5 +Kr. 336,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
804-7593
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-368
Producentens varenummer:
IXFN210N30P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

192A

Drain source spænding maks. Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

14.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

268nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.5kW

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.23mm

Bredde

25.07mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links