IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3
- RS-varenummer:
- 804-7593
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-368
- Producentens varenummer:
- IXFN210N30P3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 294,50
(ekskl. moms)
Kr. 368,12
(inkl. moms)
Tilføj 2 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 244 enhed(er) afsendes fra 26. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 294,50 |
| 2 - 4 | Kr. 285,67 |
| 5 + | Kr. 279,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 804-7593
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-368
- Producentens varenummer:
- IXFN210N30P3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 300V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 268nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5kW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 25.07 mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 300V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 268nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5kW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 25.07 mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien
Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 192 A 300 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 86 A 300 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 115 A 300 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 66 A 500 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 53 A 800 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 115 A 200 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 72 A 600 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 37 A 800 V Forbedring SOT-227
