IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN110N60P3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.581,12

(ekskl. moms)

Kr. 3.226,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 70 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 258,112Kr. 2.581,12

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4756
Producentens varenummer:
IXFN110N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

1.5kW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

245nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links