IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN80N60P3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.064,55

(ekskl. moms)

Kr. 2.580,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 220 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 - 10Kr. 206,455Kr. 2.064,55
20 - 40Kr. 198,198Kr. 1.981,98
50 +Kr. 192,004Kr. 1.920,04

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4759
Producentens varenummer:
IXFN80N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

190nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

960W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links