IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.064,55

(ekskl. moms)

Kr. 2.580,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 220 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 - 10Kr. 206,455Kr. 2.064,55
20 - 40Kr. 198,198Kr. 1.981,98
50 +Kr. 192,004Kr. 1.920,04

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4759
Producentens varenummer:
IXFN80N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar3

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

960W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

190nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

25.07 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Recently viewed