IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3
- RS-varenummer:
- 168-4759
- Producentens varenummer:
- IXFN80N60P3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 2.064,55
(ekskl. moms)
Kr. 2.580,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 160 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 206,455 | Kr. 2.064,55 |
| 20 - 40 | Kr. 198,198 | Kr. 1.981,98 |
| 50 + | Kr. 192,004 | Kr. 1.920,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4759
- Producentens varenummer:
- IXFN80N60P3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 66A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 960W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 190nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 38.23mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 66A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 960W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 38.23mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien
Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 66 A 600 V Forbedring SOT-227 Polar3
- IXYS Type N-Kanal 192 A 300 V Forbedring SOT-227 Polar3
- IXYS Type N-Kanal 90 A 600 V Forbedring SOT-227 Polar3
- IXYS Type N-Kanal 66 A 500 V Forbedring SOT-227 Polar
- IXYS Type N-Kanal 24 A 1 kV Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 36 A 1 kV Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 170 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 90 A 850 V Forbedring SOT-227, HiperFET