IXYS N-Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 1.898,60

(ekskl. moms)

Kr. 2.373,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 - 10Kr. 189,86Kr. 1.898,60
20 - 40Kr. 182,266Kr. 1.822,66
50 +Kr. 176,57Kr. 1.765,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4759
Producentens varenummer:
IXFN80N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar3

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

190nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

960W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Bredde

25.07mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links