IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 252,15

(ekskl. moms)

Kr. 315,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 222 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 252,15
2 - 4Kr. 247,14
5 +Kr. 239,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:
804-7603
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-380
Producentens varenummer:
IXFN80N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

960W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

190nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

30253380

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links