IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 5.174,74

(ekskl. moms)

Kr. 6.468,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 10 enhed(er) afsendes fra 29. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 517,474Kr. 5.174,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4473
Producentens varenummer:
IXFN36N100
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

240mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

380nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Bredde

25.42 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links