IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- RS-varenummer:
- 168-4473
- Producentens varenummer:
- IXFN36N100
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 5.174,74
(ekskl. moms)
Kr. 6.468,42
(inkl. moms)
Tilføj 10 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 10 enhed(er) afsendes fra 15. april 2026
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 22. april 2026
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 22. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 517,474 | Kr. 5.174,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4473
- Producentens varenummer:
- IXFN36N100
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | HiperFET | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 240mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 380nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 38.23mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 25.42 mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie HiperFET | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 240mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 380nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 38.23mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 25.42 mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serien
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 36 A 1 kV Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 24 A 1 kV Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 145 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 110 A 850 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 90 A 850 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 170 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 200 A 100 V Forbedring SOT-227, Polar HiPerFET
- IXYS Type N-Kanal 310 A 150 V Forbedring SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET