IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 571,10

(ekskl. moms)

Kr. 713,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 27 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 571,10
2 - 4Kr. 542,52
5 +Kr. 514,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:
193-795
Producentens varenummer:
IXFN36N100
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

240mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

380nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.