IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Polar HiPerFET Nej IXFN200N10P

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 215,87

(ekskl. moms)

Kr. 269,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 89 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 676 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 215,87
2 - 4Kr. 194,03
5 - 9Kr. 184,08
10 - 19Kr. 165,16
20 +Kr. 161,04

*Vejledende pris

RS-varenummer:
125-8040
Producentens varenummer:
IXFN200N10P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-227

Serie

Polar HiPerFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

7.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

235nC

Effektafsættelse maks. Pd

680W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bredde

25.07 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links