IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 423,13

(ekskl. moms)

Kr. 528,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 10 enhed(er) afsendes fra 10. juni 2026
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 423,13
2 - 4Kr. 414,62
5 +Kr. 402,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-4386
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-382
Producentens varenummer:
IXFN90N85X
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

340nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Effektafsættelse maks. Pd

1.2kW

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Bredde

25.07 mm

Distrelec Product Id

30253382

Bilindustristandarder

Nej

850 V Ultra-Junction X-Class Power MOSFET'erne med hurtige husdioder repræsenterer en ny serie af effekthalvlederprodukter fra IXYS Corporation. Disse robuste enheder udviser branchens laveste modstande i aktiv tilstand, hvilket muliggør en meget høj effekttæthed i anvendelser med højspændingsstrømkonvertering. De nye 850 V enheder er udviklet ved hjælp af ladningskompenseringsprincippet og eksklusiv procesteknologi, og de udviser den laveste modstand i aktiveret tilstand (f.eks. 33 milliohm i SOT-227-pakken og 41 milliohm i PLUS264) sammen med lav gate-opladning og uovertrufne dv/dt-egenskaber.

Ultralav modstand i aktiveret tilstand RDS(ON) og gate-opladning Qg

Fast husdiode

dv/dt-robusthed

Avalanche nominel

Lav pakkeselvinduktion

Pakker iht. international standard

Relaterede links