IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Forbedring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET
- RS-varenummer:
- 146-4383
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-305
- Producentens varenummer:
- IXFB90N85X
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 211,46
(ekskl. moms)
Kr. 264,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 23 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 211,46 |
| 5 - 9 | Kr. 200,99 |
| 10 + | Kr. 195,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4383
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-305
- Producentens varenummer:
- IXFB90N85X
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Emballagetype | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.79kW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 340nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 20.29mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 26.59mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Emballagetype PLUS264 | ||
Serie HiperFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.79kW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 340nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 20.29mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 26.59mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
850 V Ultra-Junction X-Class Power MOSFET'erne med hurtige husdioder repræsenterer en ny serie af effekthalvlederprodukter fra IXYS Corporation. Disse robuste enheder udviser branchens laveste modstande i aktiv tilstand, hvilket muliggør en meget høj effekttæthed i anvendelser med højspændingsstrømkonvertering. De nye 850 V enheder er udviklet ved hjælp af ladningskompenseringsprincippet og eksklusiv procesteknologi, og de udviser den laveste modstand i aktiveret tilstand (f.eks. 33 milliohm i SOT-227-pakken og 41 milliohm i PLUS264) sammen med lav gate-opladning og uovertrufne dv/dt-egenskaber.
Ultralav modstand i aktiveret tilstand RDS(ON) og gate-opladning Qg
Fast husdiode
dv/dt-robusthed
Avalanche nominel
Lav pakkeselvinduktion
Pakker iht. international standard
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 90 A 850 V Forbedring PLUS264, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 90 A 850 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 110 A 600 V Forbedring PLUS264 Polar3
- IXYS Type N-Kanal 132 A 500 V Forbedring PLUS264 Polar3
- IXYS Type N-Kanal 210 A 300 V Forbedring PLUS264 Polar3
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 82 A 600 V Forbedring PLUS264 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 66 A 850 V Forbedring TO-264, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 110 A 850 V Forbedring SOT-227, HiperFET