IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 3.054,53

(ekskl. moms)

Kr. 3.818,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 110 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
  • Plus 350 enhed(er) afsendes fra 14. august 2026
  • Plus 70 enhed(er) afsendes fra 28. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 305,453Kr. 3.054,53

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4484
Producentens varenummer:
IXFN82N60P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

72A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

240nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.2mm

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links