IXYS N-Kanal, MOSFET, 72 A 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 3.499,89

(ekskl. moms)

Kr. 4.374,86

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 349,989Kr. 3.499,89

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4484
Producentens varenummer:
IXFN82N60P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

72A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

240nC

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07mm

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.2mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links