IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 5.477,45

(ekskl. moms)

Kr. 6.846,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 375 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 +Kr. 219,098Kr. 5.477,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
920-0877
Producentens varenummer:
IXFK26N120P
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-264

Serie

HiperFET, Polar

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

460mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

960W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

225nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

19.96mm

Højde

26.16mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien


N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.