IXYS N-Kanal, MOSFET, 88 A 300 V, 3 ben, TO-247, HiperFET, Polar IXFH88N30P
- RS-varenummer:
- 193-559P
- Producentens varenummer:
- IXFH88N30P
- Brand:
- IXYS
20 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres i Rør)
Kr. 92,30
(ekskl. moms)
Kr. 115,38
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 6 - 14 | Kr. 92,30 |
| 15 + | Kr. 87,67 |
- RS-varenummer:
- 193-559P
- Producentens varenummer:
- IXFH88N30P
- Brand:
- IXYS
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 88 A |
| Drain source spænding maks. | 300 V |
| Serie | HiperFET, Polar |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 40 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V |
| Effektafsættelse maks. | 600 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Transistormateriale | Si |
| Bredde | 5.3mm |
| Længde | 16.26mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 180 nC ved 10 V |
| Højde | 21.46mm |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
- RS-varenummer:
- 193-559P
- Producentens varenummer:
- IXFH88N30P
- Brand:
- IXYS