Nexperia N-Kanal, MOSFET, 65 A 100 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower
- RS-varenummer:
- 219-420
- Producentens varenummer:
- PSMN012-100YSFX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 12.633,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.792,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 8,422 | Kr. 12.633,00 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 18.459,00
(ekskl. moms)
Kr. 23.073,75
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 219-420
- Producentens varenummer:
- PSMN012-100YSFX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | NextPower | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Ha-free and RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie NextPower | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Ha-free and RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET er kvalificeret til 175 °C. Det er velegnet til både industrielle og forbrugeranvendelser. Den er velegnet til synkron ensretning i AC-DC og DC-DC konvertere, primær sidekobling i 48 V DC-DC systemer, BLDC motorstyring, USB-PD og mobile hurtigladningsadaptere samt flyback- og resonanttopologier.
Stærk lavine-energimærke
Avalanche-godkendt og 100 % testet
Ha-fri og i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 65 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia N-Kanal 55 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 technology
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus
- Nexperia N-Kanal 290 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- Nexperia N-Kanal 115 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 120 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 111 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM