Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NSF030120L3A0
- RS-varenummer:
- 219-449
- Producentens varenummer:
- NSF030120L3A0Q
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rør af 450 enheder)*
Kr. 103.564,80
(ekskl. moms)
Kr. 129.456,00
(inkl. moms)
Tilføj 450 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 450 + | Kr. 230,144 | Kr. 103.564,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-449
- Producentens varenummer:
- NSF030120L3A0Q
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NSF030120L3A0 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 306W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 113nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NSF030120L3A0 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 306W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 113nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i et kompakt 3-benet TO-247-3 plasthus til hulmontering på printkort. Dens fremragende RDS(on) temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den velegnet til højeffekts, højspændings industrielle anvendelser, herunder infrastruktur til opladning af elektriske køretøjer, solcelleinvertere og motordrev.
Hurtig omvendt gendannelse
Hurtig skiftehastighed
Temperaturuafhængige tab ved slukning
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 48 A 1200 V Forbedring TO-247, NSF030120L3A0
- Nexperia Type N-Kanal 3 Ben, TO-247
- Nexperia Type N-Kanal 4 Ben, TO-247
- DiodesZetex Mosfet med N-kanalforbedring Type N-Kanal 44.5 A 1200 V Forbedring TO-247, DMW
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247
- ROHM Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring TO-247
- Wolfspeed Type N-Kanal 19 A 1200 V Forbedring TO-247
- Wolfspeed Type N-Kanal 10.7 A 1200 V Forbedring TO-247