Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NSF030120L3A0
- RS-varenummer:
- 219-449
- Producentens varenummer:
- NSF030120L3A0Q
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rør af 450 enheder)*
Kr. 82.851,75
(ekskl. moms)
Kr. 103.564,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 450 + | Kr. 184,115 | Kr. 82.851,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-449
- Producentens varenummer:
- NSF030120L3A0Q
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NSF030120L3A0 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 113nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 306W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NSF030120L3A0 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 113nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 306W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i et kompakt 3-benet TO-247-3 plasthus til hulmontering på printkort. Dens fremragende RDS(on) temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den velegnet til højeffekts, højspændings industrielle anvendelser, herunder infrastruktur til opladning af elektriske køretøjer, solcelleinvertere og motordrev.
Hurtig omvendt gendannelse
Hurtig skiftehastighed
Temperaturuafhængige tab ved slukning
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 48 A 1200 V Forbedring TO-247, NSF030120L3A0
- Nexperia Type N-Kanal 4 Ben, TO-247
- Nexperia Type N-Kanal 3 Ben, TO-247
- DiodesZetex Mosfet med N-kanalforbedring Type N-Kanal 44.5 A 1200 V Forbedring TO-247, DMW
- Wolfspeed Type N-Kanal 63 A 1200 V Forbedring TO-247
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-247
- ROHM Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring TO-247
- Wolfspeed Type N-Kanal 90 A 1200 V Forbedring TO-247
