Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NSF030120L3A0

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 207,94

(ekskl. moms)

Kr. 259,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 448 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 207,94
10 - 99Kr. 187,15
100 +Kr. 172,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
219-450
Producentens varenummer:
NSF030120L3A0Q
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

48A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NSF030120L3A0

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Printmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

306W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

113nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

COO (Country of Origin):
CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i et kompakt 3-benet TO-247-3 plasthus til hulmontering på printkort. Dens fremragende RDS(on) temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den velegnet til højeffekts, højspændings industrielle anvendelser, herunder infrastruktur til opladning af elektriske køretøjer, solcelleinvertere og motordrev.

Hurtig omvendt gendannelse

Hurtig skiftehastighed

Temperaturuafhængige tab ved slukning

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links