Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NSF030120L3A0
- RS-varenummer:
- 219-450
- Producentens varenummer:
- NSF030120L3A0Q
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 207,94
(ekskl. moms)
Kr. 259,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 448 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 207,94 |
| 10 - 99 | Kr. 187,15 |
| 100 + | Kr. 172,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-450
- Producentens varenummer:
- NSF030120L3A0Q
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NSF030120L3A0 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 306W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 113nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NSF030120L3A0 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 306W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 113nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i et kompakt 3-benet TO-247-3 plasthus til hulmontering på printkort. Dens fremragende RDS(on) temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den velegnet til højeffekts, højspændings industrielle anvendelser, herunder infrastruktur til opladning af elektriske køretøjer, solcelleinvertere og motordrev.
Hurtig omvendt gendannelse
Hurtig skiftehastighed
Temperaturuafhængige tab ved slukning
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 48 A 1200 V Forbedring TO-247, NSF030120L3A0
- Nexperia Type N-Kanal 4 Ben, TO-247
- Nexperia Type N-Kanal 3 Ben, TO-247
- DiodesZetex Mosfet med N-kanalforbedring Type N-Kanal 44.5 A 1200 V Forbedring TO-247, DMW
- Wolfspeed Type N-Kanal 63 A 1200 V Forbedring TO-247
- ROHM Type N-Kanal 81 A 1200 V Forbedring TO-247
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-247
- ROHM Type N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring TO-247