Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK
- RS-varenummer:
- 219-492
- Producentens varenummer:
- PSMN5R5-60YS,115
- Brand:
- Nexperia
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 219-492
- Producentens varenummer:
- PSMN5R5-60YS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.1 mm | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.1 mm | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanals MOSFET er indkapslet i et LFPAK-hus og er kvalificeret til 175 °C. Den er designet til en bred vifte af industrielle, kommunikations- og husholdningsanvendelser. Nøgleanvendelser omfatter motorstyring, serverstrømforsyninger, DC-til-DC-konvertere, lithium-ion batteribeskyttelse og belastningsswitching.
Avanceret TrenchMOS giver lav RDSon og lav gate-opladning
Høj effektivitet i switching-effektkonvertere
Forbedrede mekaniske og termiske egenskaber
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Enhancement LFPAK Nej PSMN5R5-60YS,115
- Nexperia Type N-Kanal 76 A 60 V Forbedring LFPAK
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 115 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 44 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 59 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 16.7 A 60 V Forbedring LFPAK, BUK9Y59 AEC-Q101