ROHM Type N-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 Nej RQ3L060BGTB1
- RS-varenummer:
- 264-578
- Producentens varenummer:
- RQ3L060BGTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 38,07
(ekskl. moms)
Kr. 47,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,807 | Kr. 38,07 |
| 100 - 240 | Kr. 3,62 | Kr. 36,20 |
| 250 - 490 | Kr. 3,359 | Kr. 33,59 |
| 500 - 990 | Kr. 3,089 | Kr. 30,89 |
| 1000 + | Kr. 2,97 | Kr. 29,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-578
- Producentens varenummer:
- RQ3L060BGTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | RQ3 | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 38mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie RQ3 | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 38mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM N-kanal 60V 15,5A power MOSFET i en HSMT8-pakke har lav on-modstand og et højeffektdesign, hvilket gør den ideel til switching, motordrev og DC- eller DC-konverterapplikationer.
Lav modstand ved tændt
HSMT8 er en lille pakke med høj effekt
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
Halogenfri
100 % Rg- og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3 Nej RQ3L070BGTB1
- ROHM Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3L120BKFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 12 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3L120BJFRATCB
- ROHM Type N-Kanal 27 A 100 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 12 A 40 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3G120BJFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 27 A 40 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3G270BJFRATCB
- ROHM 1 Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring HSMT-8, RH6 RH6L040BGTB1
- ROHM 2 Type N-Kanal 15 A 60 V Forbedring HSMT-8, HT8 Nej HT8KC6TB1
