ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HP8 Nej HT8KC5TB1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 39,72

(ekskl. moms)

Kr. 49,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 3,972Kr. 39,72
100 - 240Kr. 3,777Kr. 37,77
250 - 490Kr. 3,493Kr. 34,93
500 - 990Kr. 3,216Kr. 32,16
1000 +Kr. 3,097Kr. 30,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-764
Producentens varenummer:
HT8KC5TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HP8

Emballagetype

HSMT-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

13W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching-applikationer.

Lille støbeformspakke med høj effekt (HSMT8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links