ROHM 2 Type P-Kanal, MOSFET, 12.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8J Nej HP8JE5TB1
- RS-varenummer:
- 264-654
- Producentens varenummer:
- HP8JE5TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 44,58
(ekskl. moms)
Kr. 55,725
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 95 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,916 | Kr. 44,58 |
| 50 - 95 | Kr. 8,468 | Kr. 42,34 |
| 100 - 495 | Kr. 7,84 | Kr. 39,20 |
| 500 - 995 | Kr. 7,21 | Kr. 36,05 |
| 1000 + | Kr. 6,942 | Kr. 34,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-654
- Producentens varenummer:
- HP8JE5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HP8J | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 127mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 21W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.0nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HP8J | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 127mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 21W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.0nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Semiconductor er en MOSFET med to P-kanaler, der er designet til effektiv switching og motordrift. Den har en lav on-modstand og et højt strømforbrug, hvilket gør den ideel til højtydende kredsløb. Enheden er anbragt i en 8-HSOP-pakke, der sikrer kompakt og pålidelig overflademontering.
RoHS-overensstemmende
Pakke med høj effekt
Pb-fri belægning
Halogenfri
Rg og UIS testet
Relaterede links
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 8 8 ben HP8K HP8ME5TB1
- ROHM N-Kanal 60 A 100 V, HSOP8 RS6P060BHTB1
- ROHM N-Kanal 100 A 40 V, HSOP8 RS6G100BGTB1
- ROHM P-Kanal 78 A 40 V HSOP8 RS1G201ATTB1
- ROHM P-Kanal 18 A 80 V HSOP8, RQ3N060AT RQ3N060ATTB1
- ROHM N-Kanal 60 A 100 V HSOP8 RS1P600BHTB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 16 8 ben HP8 HP8MB5TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 12 A 60 V HSOP8, HP8 HP8MC5TB1
