ROHM 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt (Nch+Pch), MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K Nej HP8ME5TB1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 53,78

(ekskl. moms)

Kr. 67,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,378Kr. 53,78
100 - 240Kr. 5,116Kr. 51,16
250 - 490Kr. 4,727Kr. 47,27
500 - 990Kr. 4,353Kr. 43,53
1000 +Kr. 4,204Kr. 42,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-877
Producentens varenummer:
HP8ME5TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HP8K

Emballagetype

HSOP-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

273mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt (Nch+Pch)

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 8,5A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links