ROHM 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt (Nch+Pch), MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 53,78

(ekskl. moms)

Kr. 67,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,378Kr. 53,78
100 - 240Kr. 5,116Kr. 51,16
250 - 490Kr. 4,727Kr. 47,27
500 - 990Kr. 4,353Kr. 43,53
1000 +Kr. 4,204Kr. 42,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-877
Producentens varenummer:
HP8ME5TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N, Type P

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HP8K

Emballagetype

HSOP-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

273mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Transistorkonfiguration

Dobbelt (Nch+Pch)

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 8,5A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links