ROHM 2 Type N-Kanal Nch+Nch, MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K Nej HP8KE7TB1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 60,06

(ekskl. moms)

Kr. 75,075

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 12,012Kr. 60,06
50 - 95Kr. 11,43Kr. 57,15
100 - 495Kr. 10,576Kr. 52,88
500 - 995Kr. 9,754Kr. 48,77
1000 +Kr. 9,364Kr. 46,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-873
Producentens varenummer:
HP8KE7TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSOP-8

Serie

HP8K

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

19.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

26W

Portkildespænding maks.

±20 V

Transistorkonfiguration

Nch+Nch

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 24A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links