ROHM 2 Type N-Kanal Nch+Nch, MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 60,06

(ekskl. moms)

Kr. 75,075

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 12,012Kr. 60,06
50 - 95Kr. 11,43Kr. 57,15
100 - 495Kr. 10,576Kr. 52,88
500 - 995Kr. 9,754Kr. 48,77
1000 +Kr. 9,364Kr. 46,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-873
Producentens varenummer:
HP8KE7TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HP8K

Emballagetype

HSOP-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

19.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

26W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Nch+Nch

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 24A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links