ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 100 V Forbedring, 6 Ben, SOP-8, SH8 Nej SH8KE7TB1
- RS-varenummer:
- 264-710
- Producentens varenummer:
- SH8KE7TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 50,64
(ekskl. moms)
Kr. 63,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,128 | Kr. 50,64 |
| 50 - 95 | Kr. 9,634 | Kr. 48,17 |
| 100 - 495 | Kr. 8,902 | Kr. 44,51 |
| 500 - 995 | Kr. 8,198 | Kr. 40,99 |
| 1000 + | Kr. 7,898 | Kr. 39,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-710
- Producentens varenummer:
- SH8KE7TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOP-8 | |
| Serie | SH8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Halogen Free | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOP-8 | ||
Serie SH8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Halogen Free | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET med lav on-modstand er ideel til switching og motordrift. Dette produkt indeholder to 100V Nch MOSFET'er i en lille overflademonteret pakke (SOP8).
Lille overflademonteret pakke (SOP8)
Blyfri ledningsbelægning; RoHS-overensstemmende
Halogenfri
Relaterede links
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3.5/4 A 60 V SOP8, SH8 SH8MC4TB1
- ROHM N-Kanal 4 SOP8 SH8KE6TB1
- ROHM Dual N-Kanal 2 8 ben SH8KE5 SH8KE5TB1
- ROHM N-Kanal 8 ben BM2P BM2P139T1F-E2
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3 8 ben SH8MD5HT SH8MD5HTB1
- ROHM Dual N-Kanal 3 8 ben SH8KC5 SH8KC5TB1
- ROHM Dual N-Kanal 4 8 ben SH8KB5 SH8KB5TB1
- ROHM N-Kanal 100 A 100 V, HSOP8S RS6P100BHTB1
