ROHM 1 Type N, Type P-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, SOP-8, SH8 Nej SH8MC4TB1
- RS-varenummer:
- 265-324
- Producentens varenummer:
- SH8MC4TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 39,94
(ekskl. moms)
Kr. 49,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,994 | Kr. 39,94 |
| 100 - 240 | Kr. 3,785 | Kr. 37,85 |
| 250 - 490 | Kr. 3,508 | Kr. 35,08 |
| 500 - 990 | Kr. 3,239 | Kr. 32,39 |
| 1000 + | Kr. 3,112 | Kr. 31,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-324
- Producentens varenummer:
- SH8MC4TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SH8 | |
| Emballagetype | SOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 96mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.3nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SH8 | ||
Emballagetype SOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 96mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.3nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er en MOSFET med lav tændingsmodstand, som er ideel til switching og motordrift. Den er pakket i et kompakt SOP8-overflademonteringsformat og giver effektiv ydeevne, samtidig med at den optimerer pladsen i elektroniske designs.
RoHS-overensstemmende
Pb-fri blybelægning
Halogenfri
100 procent Rg og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 8 A 100 V SOP8, SH8 SH8KE7TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3 8 ben SH8MD5HT SH8MD5HTB1
- ROHM Dual N-Kanal 3 8 ben SH8KC5 SH8KC5TB1
- ROHM N-Kanal 4 SOP8 SH8KE6TB1
- ROHM P-Kanal 210 mA 60 V, SOT BSS84WAHZGT106
- ROHM N-Kanal 8 ben BM2P BM2P139T1F-E2
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 10 A 60 V HSMT8, HT8MC5 HT8MC5TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 12 A 60 V HSOP8, HP8 HP8MC5TB1
