ROHM Type P, Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring, 8 Ben, SOP-8, SH8MD5HT Nej SH8MD5HTB1
- RS-varenummer:
- 687-485
- Producentens varenummer:
- SH8MD5HTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 7,00
(ekskl. moms)
Kr. 8,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 3,50 | Kr. 7,00 |
| 50 - 198 | Kr. 3,105 | Kr. 6,21 |
| 200 - 998 | Kr. 2,80 | Kr. 5,60 |
| 1000 - 1998 | Kr. 2,275 | Kr. 4,55 |
| 2000 + | Kr. 2,185 | Kr. 4,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-485
- Producentens varenummer:
- SH8MD5HTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SOP-8 | |
| Serie | SH8MD5HT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 167mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.0W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.20 mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 6.30mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SOP-8 | ||
Serie SH8MD5HT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 167mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.0W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.20 mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 6.30mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanal og P-kanal Power MOSFET er designet til effektiv strømstyring i elektroniske anvendelser. Denne enhed udmærker sig ved at give lav modstand ved tænding og betydelig effekttab, hvilket gør den til et ideelt valg til motordrev. Med både N-kanal og P-kanalkonfigurationer muliggør den alsidige kredsløbsdesign i kompakte SOP8-pakker. MOSFET'ens robuste konstruktion sikrer, at den opfylder strenge krav til pålidelighed og overensstemmelse, herunder RoHS- og halogenfri certificering, som er afgørende for moderne elektroniske komponenter.
Lav modstand ved tænding forbedrer effektiviteten og den termiske ydeevne
Kompakt SOP8-pakke giver pladsbesparende løsninger til printkortdesign
Pb-fri og i overensstemmelse med RoHS, hvilket sikrer miljøvenlig produktion
Halogenfri konstruktion fremmer sikkerhed og bæredygtighed
Velegnet til både N-kanal- og P-kanal-anvendelser, der giver designfleksibilitet
Pålidelig drift med 100 % Rg og UIS-test for høj kvalitetssikring
Fremragende avalanche-egenskaber til robust håndtering af transienter.
Relaterede links
- ROHM Dual N-Kanal 3 8 ben SH8KC5 SH8KC5TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3.5/4 A 60 V SOP8, SH8 SH8MC4TB1
- ROHM P-Kanal 3 8 ben, DFN2020 UT6JB5TCR
- ROHM P-Kanal 3 8 ben, TSMT-8 QH8JC5TCR
- ROHM P-Kanal 3 6 ben, SOT-457T RSQ035P03HZGTR
- ROHM P-Kanal 3 6 ben, TSMT-8 RQ6L035ATTCR
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3 5 A 30 V SOP, SP8M5 SP8M6HZGTB
- ROHM P-Kanal 3 3 ben RQ5E035AT RQ5E035ATTCL