ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04BBJFRAT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-447
- Producentens varenummer:
- RH7G04BBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 13,56
(ekskl. moms)
Kr. 16,96
(inkl. moms)
Tilføj 94 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 6,78 | Kr. 13,56 |
| 20 - 48 | Kr. 5,99 | Kr. 11,98 |
| 50 - 198 | Kr. 5,38 | Kr. 10,76 |
| 200 - 998 | Kr. 4,33 | Kr. 8,66 |
| 1000 + | Kr. 4,245 | Kr. 8,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-447
- Producentens varenummer:
- RH7G04BBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04BBJFRAT | |
| Emballagetype | DFN3333T8LSAB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie RH7G04BBJFRAT | ||
Emballagetype DFN3333T8LSAB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til robust ydeevne i krævende anvendelser og giver fremragende effektivitet og pålidelighed. Med en maksimal drain-source-spænding på -40 V og kontinuerlige drænstrømsegenskaber, der når op på 40 A, udmærker denne komponent sig inden for strømstyring. Dens lave modstand i tændt tilstand på kun 11,9 mΩ forbedrer energieffektiviteten, hvilket gør den til et ideelt valg til biler og industrielle systemer. Denne MOSFET er designet til at modstå temperaturer fra -55 til 175 °C og sikrer holdbarhed og stabilitet under en lang række forhold, mens dens AEC-Q101-kvalifikation signalerer dens egnethed til bilmiljøer, hvilket bidrager til øget enhedssikkerhed og effektivitet.
AEC Q101-kvalificeret til pålidelige anvendelser i biler
100 % avalanche-testet for øget sikkerhed under ekstreme forhold
Samlehus med lav termisk modstand, der fremmer effektiv varmeafledning
Bredt driftstemperaturområde sikrer ydeevnens stabilitet i barske miljøer
Minimal modstand i tændt tilstand optimerer energieffektiviteten og reducerer det samlede effekttab
Kapacitive egenskaber er skræddersyet til anvendelser med hurtig omskiftning, hvilket forbedrer ydeevnen
Designet med fugtige flanker letter pålidelig lodning og forbedret samlingskvalitet
Egnet til forskellige anvendelser, herunder ADAS, belysning og kropsstyringssystemer
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RH7G04CBJFRA AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RH7G04CBKFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RV4 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101
