ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-359
- Producentens varenummer:
- AG501EGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 25,37
(ekskl. moms)
Kr. 31,712
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,685 | Kr. 25,37 |
| 20 - 48 | Kr. 11,155 | Kr. 22,31 |
| 50 - 198 | Kr. 10,015 | Kr. 20,03 |
| 200 - 998 | Kr. 8,09 | Kr. 16,18 |
| 1000 + | Kr. 7,875 | Kr. 15,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-359
- Producentens varenummer:
- AG501EGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 145nC | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Bredde | 6.80 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 145nC | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Bredde 6.80 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanals effekt-MOSFET er designet til effektiv energistyring i bilsystemer og forskellige anvendelser. Med en maksimal drain-source-spænding på -40 V og en kontinuerlig drain-strømkapacitet på op til -80 A giver denne robuste enhed fremragende pålidelighed under krævende driftsforhold. Med en lav modstand ved tænding på kun 4,9 mΩ sikrer den minimalt energitab, hvilket bidrager til forbedret systemets overordnede effektivitet og termiske ydeevne. Denne MOSFET er også AEC-Q101-kvalificeret, hvilket fremhæver dens egnethed til bilapplikationer, hvor strenge standarder skal overholdes.
Giver lav modstand ved tænding for reduceret effekttab og forbedret effektivitet
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer pålidelighed til biler og kritiske anvendelser
Avalanche-testet for at garantere ydeevne under dynamiske forhold
Understøtter et maksimalt effekttab på 142 W, kompatibel med højtydende design
Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i forskellige miljøer
Blyfri belægning og RoHS-overensstemmelse, der opfylder moderne miljøstandarder
Optimerede emballeringsspecifikationer, herunder indlejringsmuligheder til automatiseret samling
Giver en garanteret avalanche-energiklassificering, der sikrer robust drift under forbigående hændelser
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG502EED3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E08BBJHRB AEC-Q101
