ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG502EED3HRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-467
- Producentens varenummer:
- AG502EED3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 31,42
(ekskl. moms)
Kr. 39,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 15,71 | Kr. 31,42 |
| 20 - 48 | Kr. 13,875 | Kr. 27,75 |
| 50 - 198 | Kr. 12,38 | Kr. 24,76 |
| 200 - 998 | Kr. 10,06 | Kr. 20,12 |
| 1000 + | Kr. 9,725 | Kr. 19,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-467
- Producentens varenummer:
- AG502EED3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Serie | AG502EED3HRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 77W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Længde | 10.50mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Serie AG502EED3HRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 77W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Længde 10.50mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET er designet til effektiv og pålidelig energistyring i bilsystemer. Med en maksimal drain-source-spænding på -30 V og kontinuerlig drain-strømkapacitet på op til 78 A er denne enhed velegnet til krævende anvendelser, der kræver robust strømhåndtering. Dens lave modstand ved tænding på 8,5 mΩ minimerer effekttab, hvilket bidrager til forbedret termisk effektivitet. Desuden er MOSFET'en kvalificeret iht. AEC-Q101-standarderne, hvilket sikrer, at den opfylder strenge krav til biler for holdbarhed og ydeevne. Med fremragende lavineegenskaber og et bredt driftstemperaturområde sikrer AG502EED3HRB ensartet ydeevne under forskellige forhold.
Robust konstruktion med AEC Q101-kvalificering til brug i biler
Lav modstand på 8,5 mΩ, optimerer energieffektiviteten
Maks. kontinuerlig afløbsstrøm på 78 A muliggør håndtering af krævende belastninger
Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til 175 °C for pålidelig ydeevne
Termisk modstand på 1,94 °C/W forbedrer varmeafledningsevnen
100 % avalanche-testet, hvilket sikrer høj driftssikkerhed under transienter
Blyfri belægning og overholdelse af RoHS-standarder for miljøvenligt design
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101