ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101 RD3L08BBJHRBTL
- RS-varenummer:
- 687-358
- Producentens varenummer:
- RD3L08BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 25,72
(ekskl. moms)
Kr. 32,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,86 | Kr. 25,72 |
| 20 - 48 | Kr. 11,33 | Kr. 22,66 |
| 50 - 198 | Kr. 10,19 | Kr. 20,38 |
| 200 - 998 | Kr. 8,18 | Kr. 16,36 |
| 1000 + | Kr. 8,005 | Kr. 16,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-358
- Producentens varenummer:
- RD3L08BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | RD3L08BBJHRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 145nC | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Bredde | 6.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie RD3L08BBJHRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 145nC | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Bredde 6.8 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P-kanal MOSFET er designet til krævende anvendelser, der kræver robust strømstyring. Med en maksimal mærkespænding på -60 V og en strømstyrke på ±80 A er denne enhed velegnet til brug i biler og industri. Den er fremstillet i et TO-252-hus og sikrer effektiv termisk ydeevne med et effekttab på op til 142 W. Den lave modstand ved tænding på 10,7 mΩ forbedrer effektiviteten, hvilket gør den til et ideelt valg til energibeskyttende design. Desuden er den 100 % avalanche-testet og AEC-Q101-kvalificeret, hvilket sikrer pålidelighed i kritiske anvendelser.
Optimeret til effektivitet med lav on-state modstand, der sikrer reduceret effekttab
Robust termisk ydelse giver mulighed for drift i krævende miljøer med en maksimal samlingstemperatur på 175 °C
Velegnet til anvendelser med høj strøm med en kontinuerlig afløbsstrøm på ±80 A
AEC Q101-kvalificeret til brug i biler, hvilket sikrer overholdelse af strenge kvalitetsstandarder
Emballage med emboseret tape letter automatiserede monteringsprocesser
Fuldt Avalanche-klassificeret, der garanterer pålidelig drift under transienter
Blyfri belægning og RoHS-overensstemmelse, der opfylder miljøstandarder for moderne elektroniske komponenter
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 80 A 30 V TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB RD3E08BBJHRBTL
- ROHM P-Kanal 30 A. 80 V TO-252 (TL), RD3N03BAT RD3N03BATTL1
- ROHM P-Kanal 4 3 ben RD3N045AT RD3N045ATTL1
- ROHM P-Kanal 80 A 40 V TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AG501EGD3HRBTL
- ROHM P-Kanal 80 A 100 V TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB RD3P08BBLHRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AG191FLD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AG091FLD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB RD3L08DBLHRBTL
