ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101 RD3P08BBLHRBTL
- RS-varenummer:
- 687-355
- Producentens varenummer:
- RD3P08BBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 51,16
(ekskl. moms)
Kr. 63,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,58 | Kr. 51,16 |
| 20 - 98 | Kr. 22,59 | Kr. 45,18 |
| 100 - 198 | Kr. 20,235 | Kr. 40,47 |
| 200 + | Kr. 15,895 | Kr. 31,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-355
- Producentens varenummer:
- RD3P08BBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Længde | 10.50mm | |
| Bredde | 6.8 mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Længde 10.50mm | ||
Bredde 6.8 mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til robuste anvendelser, der kræver effektiv omskiftning. Med en maksimal mærkespænding på 100 V og en kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A giver denne komponent pålidelig strømstyring. Dens lave modstand ved tænding på kun 6,2 mΩ sikrer minimalt energitab under drift, hvilket er afgørende for at forbedre effektiviteten af strømforsyninger. Denne MOSFET understøtter en bred vifte af kommuterede strømapplikationer og er AEC-Q101-kvalificeret, hvilket gør den velegnet til bilmiljøer. Dens kompakte DPAK-hus giver mulighed for forbedret termisk ydeevne på steder med begrænset plads.
Lav modstand ved tænding forbedrer energieffektiviteten og reducerer varmeudviklingen
100 V drain-source mærkespænding understøtter forskellige højspændingsanvendelser
Kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A giver pålidelig ydeevne under tunge belastninger
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer høj pålidelighed til brug i biler
Kompakt TO-252-pakke muliggør bedre termisk styring og pladsbesparende design
Robust avalanchekapacitet sikrer sikkerhed under transienter
Høj effekttab på 142 W imødekommer krævende driftsbehov
Blyfri belægning og RoHS-overensstemmelse, i overensstemmelse med miljøvenlig praksis
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 80 A 30 V TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB RD3E08BBJHRBTL
- ROHM P-Kanal 30 A. 80 V TO-252 (TL), RD3N03BAT RD3N03BATTL1
- ROHM P-Kanal 4 3 ben RD3N045AT RD3N045ATTL1
- ROHM P-Kanal 80 A 40 V TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AG501EGD3HRBTL
- ROHM P-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB RD3L08BBJHRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 100 V TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AG194FPD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AG191FLD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AG091FLD3HRBTL
