ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-355
- Producentens varenummer:
- RD3P08BBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 51,16
(ekskl. moms)
Kr. 63,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,58 | Kr. 51,16 |
| 20 - 98 | Kr. 22,59 | Kr. 45,18 |
| 100 - 198 | Kr. 20,235 | Kr. 40,47 |
| 200 + | Kr. 15,895 | Kr. 31,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-355
- Producentens varenummer:
- RD3P08BBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Bredde | 6.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Bredde 6.8 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til robuste anvendelser, der kræver effektiv omskiftning. Med en maksimal mærkespænding på 100 V og en kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A giver denne komponent pålidelig strømstyring. Dens lave modstand ved tænding på kun 6,2 mΩ sikrer minimalt energitab under drift, hvilket er afgørende for at forbedre effektiviteten af strømforsyninger. Denne MOSFET understøtter en bred vifte af kommuterede strømapplikationer og er AEC-Q101-kvalificeret, hvilket gør den velegnet til bilmiljøer. Dens kompakte DPAK-hus giver mulighed for forbedret termisk ydeevne på steder med begrænset plads.
Lav modstand ved tænding forbedrer energieffektiviteten og reducerer varmeudviklingen
100 V drain-source mærkespænding understøtter forskellige højspændingsanvendelser
Kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A giver pålidelig ydeevne under tunge belastninger
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer høj pålidelighed til brug i biler
Kompakt TO-252-pakke muliggør bedre termisk styring og pladsbesparende design
Robust avalanchekapacitet sikrer sikkerhed under transienter
Høj effekttab på 142 W imødekommer krævende driftsbehov
Blyfri belægning og RoHS-overensstemmelse, i overensstemmelse med miljøvenlig praksis
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG502EED3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E08BBJHRB AEC-Q101
