ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101

ROHM P-kanal-effekt-MOSFET er designet til at levere effektiv drift i en lang række anvendelser, herunder motordrev og koblingskredsløb. Med en maksimal drain-source-spænding på -80 V og kontinuerlige drænstrømsegenskaber, der når -30 A, er denne enhed konstrueret til robust ydeevne under krævende forhold. Dens lave modstand ved tænding på 56 mΩ sikrer optimal effektivitet og minimerer energitab under drift. Desuden giver TO-252-huset mulighed for nem integration i elektroniske designs, hvilket giver alsidighed og pålidelighed i kompakte formfaktorer. RD3N03BAT er også i overensstemmelse med RoHS- og halogenfri standarder, hvilket gør den til et velegnet valg til miljøvenlige design.

Lav modstand ved tænding for forbedret effektivitet og reduceret termisk styring