ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101 RD3N03BATTL1
- RS-varenummer:
- 687-384
- Producentens varenummer:
- RD3N03BATTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 10,94
(ekskl. moms)
Kr. 13,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 5,47 | Kr. 10,94 |
| 20 - 48 | Kr. 4,81 | Kr. 9,62 |
| 50 - 198 | Kr. 4,33 | Kr. 8,66 |
| 200 - 998 | Kr. 3,50 | Kr. 7,00 |
| 1000 + | Kr. 3,41 | Kr. 6,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-384
- Producentens varenummer:
- RD3N03BATTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 54W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.8 mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 54W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.8 mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P-kanal-effekt-MOSFET er designet til at levere effektiv drift i en lang række anvendelser, herunder motordrev og koblingskredsløb. Med en maksimal drain-source-spænding på -80 V og kontinuerlige drænstrømsegenskaber, der når -30 A, er denne enhed konstrueret til robust ydeevne under krævende forhold. Dens lave modstand ved tænding på 56 mΩ sikrer optimal effektivitet og minimerer energitab under drift. Desuden giver TO-252-huset mulighed for nem integration i elektroniske designs, hvilket giver alsidighed og pålidelighed i kompakte formfaktorer. RD3N03BAT er også i overensstemmelse med RoHS- og halogenfri standarder, hvilket gør den til et velegnet valg til miljøvenlige design.
Lav modstand ved tænding for forbedret effektivitet og reduceret termisk styring
Høj effektkapacitet i et kompakt TO-252-hus til alsidig anvendelse
RoHS- og halogenfri overensstemmelse sikrer miljømæssig sikkerhed for moderne elektronik
Omfattende test, herunder Rg og UIS, garanterer pålidelig drift og ydeevne
Bredt driftstemperaturområde på -55 til +150 °C understøtter forskellige miljøforhold
Designet med pålidelige normer for avalancheenergi for øget sikkerhed under transienter
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 80 A 30 V TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB RD3E08BBJHRBTL
- ROHM P-Kanal 4 3 ben RD3N045AT RD3N045ATTL1
- ROHM P-Kanal 80 A 40 V TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AG501EGD3HRBTL
- ROHM P-Kanal 80 A 100 V TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB RD3P08BBLHRBTL
- ROHM P-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB RD3L08BBJHRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 100 V TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AG194FPD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AG191FLD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AG091FLD3HRBTL