ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04CBJFRA AEC-Q101 RH7G04CBJFRATCB
- RS-varenummer:
- 687-463
- Producentens varenummer:
- RH7G04CBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 11,98
(ekskl. moms)
Kr. 14,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 5,99 | Kr. 11,98 |
| 20 - 48 | Kr. 5,295 | Kr. 10,59 |
| 50 - 198 | Kr. 4,725 | Kr. 9,45 |
| 200 - 998 | Kr. 3,805 | Kr. 7,61 |
| 1000 + | Kr. 3,72 | Kr. 7,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-463
- Producentens varenummer:
- RH7G04CBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | DFN3333T8LSAB | |
| Serie | RH7G04CBJFRA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype DFN3333T8LSAB | ||
Serie RH7G04CBJFRA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til at levere fremragende ydeevne i krævende anvendelser. Denne komponent er specielt udviklet til højeffektiv omskiftning, hvilket gør den velegnet til biler, belysning og andre systemer med høj pålidelighed. Med sine robuste termiske egenskaber, herunder et maksimalt effekttab på 62 W og en imponerende kontinuerlig tømningsstrøm på ±40 A, sikrer RH7G04CBJFRA pålidelig drift under forskellige forhold. Desuden integrerer denne MOSFET avancerede funktioner som f.eks. avalanchetest og AEC-Q101-kvalificering, hvilket garanterer sikkerhed og holdbarhed i kritiske miljøer.
Har en lav modstand i tændt tilstand på 17,7 mΩ for forbedret effektivitet
Leverer en maksimal pulserende afløbsstrøm på ±80 A, hvilket muliggør anvendelser med høj ydeevne
Anvender fugtige flanker for øget pålidelighed af loddeled
Giver robust termisk modstand for at opretholde ydeevnen under tunge belastninger
Fungerer effektivt i et bredt temperaturområde på -55 til +175 °C
Omfatter en 100 % avalanche-testspecifikation for øget sikkerhed
Anvendes i en lang række anvendelser, herunder ADAS og bilbelysning
Leveres med detaljerede emballeringsspecifikationer for brugervenlig integration
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 40 A 40 V DFN3333T8LSAB, RH7G04BBJFRAT RH7G04BBJFRATCB
- ROHM N-Kanal 40 A 40 V DFN3333T8LSAB, RH7G04CBKFRA RH7G04CBKFRATCB
- ROHM P-Kanal 8 A 40 V TSMT-8 RQ7G080ATTCR
- ROHM P-Kanal 6 A 40 V DFN2020 RF4G060ATTCR
- ROHM P-Kanal 8 8 ben, SOP SH8JB5TB1
- ROHM P-Kanal 78 A 40 V HSOP8 RS1G201ATTB1
- ROHM P-Kanal 3 8 ben, DFN2020 UT6JB5TCR
- ROHM P-Kanal 16 A 40 V SOP RS3G160ATTB1
