ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04CBJFRA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-463
- Producentens varenummer:
- RH7G04CBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 11,98
(ekskl. moms)
Kr. 14,98
(inkl. moms)
Tilføj 106 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 5,99 | Kr. 11,98 |
| 20 - 48 | Kr. 5,295 | Kr. 10,59 |
| 50 - 198 | Kr. 4,725 | Kr. 9,45 |
| 200 - 998 | Kr. 3,805 | Kr. 7,61 |
| 1000 + | Kr. 3,72 | Kr. 7,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-463
- Producentens varenummer:
- RH7G04CBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04CBJFRA | |
| Emballagetype | DFN3333T8LSAB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie RH7G04CBJFRA | ||
Emballagetype DFN3333T8LSAB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til at levere fremragende ydeevne i krævende anvendelser. Denne komponent er specielt udviklet til højeffektiv omskiftning, hvilket gør den velegnet til biler, belysning og andre systemer med høj pålidelighed. Med sine robuste termiske egenskaber, herunder et maksimalt effekttab på 62 W og en imponerende kontinuerlig tømningsstrøm på ±40 A, sikrer RH7G04CBJFRA pålidelig drift under forskellige forhold. Desuden integrerer denne MOSFET avancerede funktioner som f.eks. avalanchetest og AEC-Q101-kvalificering, hvilket garanterer sikkerhed og holdbarhed i kritiske miljøer.
Har en lav modstand i tændt tilstand på 17,7 mΩ for forbedret effektivitet
Leverer en maksimal pulserende afløbsstrøm på ±80 A, hvilket muliggør anvendelser med høj ydeevne
Anvender fugtige flanker for øget pålidelighed af loddeled
Giver robust termisk modstand for at opretholde ydeevnen under tunge belastninger
Fungerer effektivt i et bredt temperaturområde på -55 til +175 °C
Omfatter en 100 % avalanche-testspecifikation for øget sikkerhed
Anvendes i en lang række anvendelser, herunder ADAS og bilbelysning
Leveres med detaljerede emballeringsspecifikationer for brugervenlig integration
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RH7G04BBJFRAT AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RH7G04CBKFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RV4 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101
