ROHM Type P, Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MC5 Nej HT8MC5TB1
- RS-varenummer:
- 687-389
- Producentens varenummer:
- HT8MC5TB1
- Brand:
- ROHM
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 9,05
(ekskl. moms)
Kr. 11,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 4,525 | Kr. 9,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-389
- Producentens varenummer:
- HT8MC5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MC5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 97mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Længde | 3.45mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie HT8MC5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 97mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Længde 3.45mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM N-kanal og P-kanal effekt-MOSFET, der er designet til effektive motorstyringsanvendelser. Denne enhed er indbygget i et avanceret HSMT8-hus og har lav modstand i tændt tilstand, hvilket muliggør forbedret strømstyring, samtidig med at varmeproduktionen minimeres. Dens robuste egenskaber gør den velegnet til forskellige anvendelser, der kræver pålidelighed og effektivitet, især i miljøer, hvor pladsen er af afgørende betydning. Med et blyfrit og RoHS-kompatibelt design er den på linje med moderne standarder for miljøsikkerhed, samtidig med at den leverer imponerende specifikationer, der sikrer alsidig anvendelse på tværs af en lang række elektroniksektorer.
Lav modstand ved tænding forbedrer energieffektiviteten og reducerer energitab
Lille formpakke med høj effekt (HSMT8) er ideel til anvendelser med begrænset plads
Blyfri belægning og RoHS-overholdelse sikrer miljøvenlighed
Halogenfri konstruktion giver ekstra sikkerhed og overensstemmelse
Fuldt Rg- og UIS-testet for forbedret pålidelighed under dynamiske forhold
Præget emballage optimerer håndtering og isætning under fremstilling
Maksimal samlingstemperatur på 150 °C giver pålidelig ydeevne i miljøer med høj varme.
Relaterede links
- ROHM Type N Enkelt MOSFET'er 40 V Forbedring HSMT-8, HT8MB5 Nej HT8MB5TB1
- ROHM Type N-Kanal 135 A 40 V Forbedring HSMT-8, RH6G04 Nej RH6G040CHTB1
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RQ3P120BKFRA AEC-Q101 RQ3P120BKFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Forbedring HSMT-8AG, RQ3L270 AEC-Q101 RQ3L270BJFRATCB
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8KF6H Nej HT8KF6HTB1
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT Nej HT8MD5HTB1
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RQ3 Nej RQ3L060BGTB1
- ROHM Type P-Kanal 12 A 40 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3G120BJFRATCB
