ROHM Dual N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 7 A 150 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- RS-varenummer:
- 687-371
- Producentens varenummer:
- HT8KF6HTB1
- Brand:
- ROHM
Indhold (2 enheder, på en tape med 2)*
Kr. 11,59
(ekskl. moms)
Kr. 14,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 5,795 | Kr. 11,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-371
- Producentens varenummer:
- HT8KF6HTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KF6H | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 214mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 800μm | |
| Længde | 3.45mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie HT8KF6H | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 214mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 800μm | ||
Længde 3.45mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige anvendelser. Denne komponent giver robuste elektriske egenskaber, herunder en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på ±7,0 A, hvilket sikrer pålidelig drift under høje belastninger. Dens bly- og halogenfri materialer opfylder RoHS-standarderne, hvilket bidrager til miljøvenlige design. Denne MOSFET's termiske modstand er optimeret, hvilket giver mulighed for effektiv varmeafledning og dermed forbedrer enhedens levetid og ydeevne i forskellige elektroniske anvendelser.
Lav modstand ved tænding for forbedret effektivitet
Høj effektkapacitet i en kompakt HSMT8-formpakke
I overensstemmelse med RoHS-bestemmelserne med blyfri belægning
Halogenfrit design til understøttelse af miljøvenlige initiativer
Alsidig anvendelse i motordrev og strømstyringssystemer
Høj maksimal forbindelsestemperatur på 150 °C
Imponerende maks. effekttab på 14 W
Pålidelige avalancheegenskaber med en maksimal energi på 0,24 mJ
Relaterede links
- ROHM Dual N-Kanal 9 A 80 V Forbedring HSMT-8, HT8MD5HT
- ROHM N-Kanal 135 A 40 V Forbedring HSMT-8, RH6G04
- ROHM Dual N-Kanal 18.5 A 150 V Forbedring HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Type P Enkelt MOSFET'er 8 Ben HT8MC5
- ROHM Type N Enkelt MOSFET'er 8 Ben HT8MB5
- ROHM N-Kanal 12 A 100 V Forbedring HSMT-8AG, RQ3P120BKFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Forbedring HSMT-8AG, RQ3L270 AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 25 A 150 V Forbedring HSMT, RH6R025BH